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FDS3670 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Fairchild Semiconductor | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDS3670参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：32 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2490pF @ 50V 功率 - 最大值：1W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形MS3102E22-33P FET - 单FQB5N40TM 单二极管/整流器FDLL914B 功率DPC-12-2000B8 电路板衬垫，支座TO-100-150XH Card EdgeGSA36DRMT-S288 FFC，FPC（扁A9CCA-0504F 圆形KPSE6E12-10PWDZ 接口 - 模拟开关LX64EV-5FN100C Card EdgeECM24DCBD |
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